檢索結果:共13筆資料 檢索策略: "李奎毅".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="氧化鋅"
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本研究以反應式離子束濺鍍沉積摻氮氧化鋅薄膜,以鋅為靶材,同時通入氬氣、氧氣及氮氣,固定氬氣流量,探討氧氣和氮氣流量對摻氮氧化鋅薄膜的特性研究。實驗結果顯示當氧氣流量介於0.5 ~ 2.0 sccm,…
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本研究探討以離子束濺鍍法,沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜,藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中,成功的以325 nm之He-Cd雷射,…
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鉺摻雜氧化鋅已經由氣相轉換的過程製備。氧化鋅粉末、石墨粉末和氧化鉺的粉末混合置於高溫爐管中,然後加熱至1000°C並持溫1小時。摻鉺的氧化鋅沉積於接近混合粉末的矽基板上。摻鉺的氧化鋅樣品則用場發射掃…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶,沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上,隨後於氧與氮氣氛下退火,討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值,ZnO(002)繞…
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本研究是探討以溶膠凝膠法製備稀土元素釹摻雜氧化鋅。將Nd:ZnO試片先經熱退火處理,並由場發射掃描式電子顯微(FE-SEM)、X光繞射譜線(XRD)、拉曼散射光譜(Raman)和光激發螢光光譜(PL…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜,採用陽極層離子源,以鋅為靶材,同時通入氬氣、氧氣及氮氣,探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm,…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法,在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜,觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時,有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光;500℃時,有強的近能隙…
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本文藉由改變離子束轟擊角度,使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌;使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子,經由改變成長時間、基板溫度,討論最佳奈米粒子成長參數;最後將奈米粒子分別沉積…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜,再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
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本研究以管狀高溫爐利用化學氣相沉積法以氬氣和氧氣當载氣來沉積氧化鋅(ZnO)薄膜於矽基板上。和熱處理實驗的結果來做探討。剛沉積氧化鋅薄膜則用場發射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)、X光繞射譜線(XR…